| 研究課題/領域番号 |
26390056
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 首都大学東京 |
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研究代表者 |
中村 成志 首都大学東京, 理工学研究科, 准教授 (70336519)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2016年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2015年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2014年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | プラズマ照射誘起欠陥 / III族窒化物半導体 / バイアスアニール / プラズマダメージ / Ⅲ族窒化物半導体 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、III族窒化物半導体中のプラズマ照射誘起欠陥の発生・移動メカニズムの解明を目的として、特に欠陥の荷電状態に着目して研究を行った。プラズマ照射誘起欠陥の導入されたショットキーバリア・ダイオードに対して、熱・光・電圧を個別もしくは同時に印加する実験を行うことで欠陥挙動を明らかにした。その結果、ドーパントを不活性化しているプラズマ照射誘起欠陥の荷電状態変化が、ドーパントの再活性化のみならず欠陥の移動に重要な役割を果たしていることがわかった。
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