| 研究課題/領域番号 |
26390057
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 金沢工業大学 |
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研究代表者 |
上田 修 金沢工業大学, 工学研究科, 教授 (50418076)
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| 研究分担者 |
矢口 裕之 埼玉大学, 理工学研究科, 教授 (50239737)
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| 連携研究者 |
池永 訓昭 金沢工業大学, 工学部, 准教授 (30512371)
八木 修平 埼玉大学, 理工学研究科, 准教授 (30421415)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2016年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 希釈窒化物半導体 / 欠陥 / 光照射 / 劣化 / 点欠陥 / 転位 / 電子顕微鏡 / フォトルミネッセンス |
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| 研究成果の概要 |
GaInNAsなどの希釈窒化物半導体を用いた発光デバイスの劣化メカニズムを解明するために、結晶成長時に発生する欠陥を透過電子顕微鏡により評価するとともに、結晶にレーザ光を照射し、欠陥の形成・増殖について調べた。その結果、GaInNAs中には点欠陥クラスタ、転位ループなどの欠陥は観察されなかった。また、GaInNAs/GaAs SQW構造にレーザ照射を行うと、レーザパワー密度が低い場合には、発光効率が増加し、パワー密度が高い場合には、発光効率が瞬時に増加後、減少した。いずれの場合にも、特に新たな構造欠陥は形成されず、今後さらなる照射パワー密度の増強を行う必要がある。
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