| 研究課題/領域番号 |
26390066
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 兵庫県立大学 |
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研究代表者 |
新部 正人 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 准教授 (10271199)
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| 連携研究者 |
川上 烈生 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 助教 (30314842)
中野 由崇 中部大学, 総合工学研究所, 教授 (60394722)
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| 研究協力者 |
小高 拓也
佐野 桂治
平井 翔大
荒木 佑馬
田中 良
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2016年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2015年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | プラズマエッチング / 紫外線照射 / ワイドギャップ半導体 / UV / GaN / TiO2 / ＵＶ照射 / 化合物半導体 / 欠陥 / 軟Ｘ線吸収 / ドライエッチング / プラズマ / イオンビーム |
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| 研究成果の概要 |
ワイドギャップ半導体のプラズマエッチングプロセスにおいて発生する欠陥について、欠陥形成へのＵＶ照射効果を調べる目的で、ＵＶ照射とイオンビームエッチングを同時に行える装置を作製した。しかし、この装置ではＵＶ照射の顕著な差異を検出することができなかった。これは、イオンビームエッチングの場合、プラズマエッチングと比較してイオンフラックスの量が格段に少なく、相乗効果が出にくかったものと考えられた。そこで、ＵＶ発光に差のあるArとCF4およびO2とN2の4種類のガス種についてAlGaN膜等のプラズマエッチングを試み、さらにＵＶ照射装置を組み込むことにより、表面ダメージが増え、ピット状に欠陥ができた。
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