| 研究課題/領域番号 |
26390071
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
内藤 裕一 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (80392637)
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| 研究分担者 |
金子 晋久 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 物理計測標準研究部門, 首席研究員 (30371032)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2014年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 走査型プローブ顕微鏡 / 走査型容量顕微鏡 / グラフェン / ドーズ / ヘリウムイオン / ヘリウムイオン顕微鏡 / 金属ー絶縁体転移 / アンダーソン局在 / ヘリウムイオンドープ / 単一欠陥 / ヘリウムイオンビーム / 半導体表面 / ドーパント / 走査型トンネル顕微鏡 |
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| 研究成果の概要 |
ヘリウムイオン顕微鏡は、加速したヘリウムイオンを薄膜サンプルに～2.5Åのビーム径で照射し、観察と加工を同時に行うことができる。He+は軽く、照射部周囲へのダメージが集束イオンビームよりも小さいので、薄膜試料の加工とは相性が良い。そこで当提案者らは、グラフェンにヘリウムイオンをドーズすることで、グラフェンの金属-絶縁体転移をnmスケールで誘起することに世界で初めて成功した。これらはグラフェン中にヘリウムイオンによって形成された欠陥が、グラフェンを部分的にアンダーゾン絶縁体に転移させた結果である。この手法を応用して、デバイス構造をグラフェン上を直接描画することができる。
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