| 研究課題/領域番号 |
26390098
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
プラズマエレクトロニクス
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
内野 喜一郎 九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (10160285)
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| 研究分担者 |
高田 啓二 関西大学, システム理工学部, 教授 (50416939)
梶山 博司 徳島文理大学, 理工学部, 教授 (80422434)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | フォトクロミズム / プラズマCVD / PLD / 金属酸化薄膜 / X線吸収微細構造 / 蓄電機能 / プラズマプロセス / CVD / 蓄電 / PLD法 / 金属酸化膜 / エレクトロクロミズム |
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| 研究成果の概要 |
スズとマグネシウムあるいは亜鉛（Zn）とシリコンなど複合金属酸化薄膜においては、フォトクロミズム (PC)やエレクトロクロミズムが発現する。その金属酸化薄膜をプラズマプロセスで作製する技術の開発を行った。手法として、パルスレーザー堆積（PLD）法とプラズマCVD法を用いた。PLD法では、30 mm角基板全面にPC薄膜を再現性よく作製することができた。プラズマCVD法では、酸化亜鉛（ZnO）だけでPC膜が得られることを見出した。このZnOのPC膜について、X線吸収による結晶構造の調査を行い、PC転移に伴ってZnの価数とZn-O間の距離が変化することなどが明らかになった。
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