| 研究課題/領域番号 |
26390099
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
プラズマエレクトロニクス
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| 研究機関 | 石川工業高等専門学校 (2016)
佐世保工業高等専門学校 (2014-2015) |
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研究代表者 |
須田 義昭 石川工業高等専門学校, その他部局等, 校長 (20124141)
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| 連携研究者 |
川崎 仁晴 佐世保工業高等専門学校, 電気電子工学科, 教授 (10253494)
大島 多美子 佐世保工業高等専門学校, 電気電子工学科, 准教授 (00370049)
柳生 義人 佐世保工業高等専門学校, 電気電子工学科, 准教授 (40435483)
猪原 武士 佐世保工業高等専門学校, 電気電子工学科, 助教 (30634050)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | パルスレーザデポジション / プラズマプロセス / 薄膜 / PLD / 裏面照射 / 粉体ターゲット / 裏面 / 粉体 / レーザアブレーション / 裏面照射PLD / X線回折装置 |
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| 研究成果の概要 |
裏面照射PLD(BIPLD)法という新しい機能性薄膜堆積法を開発し、各種機能性薄膜を作製した。このBIPLD法では、透明なターゲットホルダ上に充填した粉体ターゲットを蒸発源として用い、パルスレーザをターゲットホルダ側から基板に向けて照射した。この新しい薄膜作製法により、TiO2やBN薄膜をシリコン基板上に堆積させた。本堆積法による成膜速度は通常のPLD法に比べると非常に小さい。XRD測定結果から、ルチルのTiO2粉体ターゲットにより作製した薄膜はルチルとアナターゼの結晶ピークを示した。BN粉体ターゲットを用いて作製した薄膜はhBNであり、アニールによって結晶性が向上することが分かった。
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