研究課題
基盤研究(C)
酸化物薄膜の熱電材料(TE)効率を調査したところ、非常に有望な結果が得られた。例えば、PLD法により加工されるn型Al-ドープZnO(AZO)薄膜は、300Kにおいてk=4.89W/m×K(バルクAZOの1/7、600KにおいてZT=0.045(バルクAZOに対して3倍大きい)であった。それから、Al2O3、STO結晶基板及びシリカグラスの上にPLDを用いて熱電薄膜モジュールを作製した。熱電薄膜モジュールはn型(AZO)の5脚及びp型(Ca3Co4O9)の5脚から構戊された。 温度差230度(高温は300度)において、Al2O3単結晶基板上に最大出力電力(Pmax)=29.9pWを得られた。
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