研究課題/領域番号 |
26400310
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
物性Ⅰ
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研究機関 | 千葉大学 |
研究代表者 |
中山 隆史 千葉大学, 大学院理学研究科, 教授 (70189075)
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研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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キーワード | 有機半導体 / 第一原理計算 / 不純物欠陥 / 金属クラスター / 原子間相互作用 / 不純物分布 / 吸着構造 / 励起子散乱 / 欠陥準位 / 相互作用 / クラスター / 不純物散乱 / キャリア伝導 / PTCDA / ペンタセン / 次元依存性 / パイエルス転移 |
研究成果の概要 |
本研究では、量子力学に基づく大型数値計算を用いて、有機分子半導体中に侵入した金属不純物原子の安定な形態と電子物性を調べた。その結果、不純物原子には半導体中に分散して分布するものとクラスターをつくるものの2種類があること、前者の不純物はイオン化していてキャリアの易動度を劣化させること、後者の不純物は電子を放出してトンネルリーク電流を発生させること等を明らかにした。これら成果は、有機半導体の不純物欠陥物理の進展をもたらし、将来のデバイス開発にも指針を与えるものである。
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