| 研究課題/領域番号 |
26400311
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
遠藤 彰 東京大学, 物性研究所, 助教 (20260515)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 量子ホール効果 / 高周波伝導率 / 熱起電力 / ２次元電子系 / エッジマグネトプラズモン / 電子固体相 / エピタクシャグラフェン / エッジ・マグネトプラズモン / エピタクシャルグラフェン |
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| 研究成果の概要 |
コプレーナ型導波路を用いた量子ホール系の高周波伝導率および、高周波加熱による熱起電力の精密測定を行った。負バイアス印加で意図的に試料端を導入する実験により、量子ホール領域で観測されていた共鳴ピークはエッジマグネトプラズモン励起に因るものであることを明らかにし、共鳴周波数のバイアス依存性を定量的に説明することに成功した。
また、エピタクシャルグラフェンの低温磁気抵抗の詳細な解析から、SiC基板表面にあるステップの影響や、単層・２層グラフェンが混在する場合の両領域の面積比を導出することができることを明らかにした。
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