| 研究課題/領域番号 |
26400316
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
濱中 泰 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (20280703)
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| 連携研究者 |
葛谷 俊博 室蘭工業大学, 工学部, 助教 (00424945)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2016年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 局在プラズモン共鳴 / ナノ粒子 / 半導体 / 増強近接場 / キャリア密度制御 / 局在表面プラズモン共鳴 / 半導体ナノ粒子 / 非線形光学 / プラズモニクス / 近接場 / 縮退半導体 / 光物性 / キャリアドープ |
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| 研究成果の概要 |
ナノメートルサイズの金属微粒子に可視光を照射すると自由電子の集団振動が励起され、これに伴って微粒子近傍に巨大な光電場が発生する。この現象は局在プラズモン共鳴と呼ばれ、光が関係する様々な技術の効率を向上させるのに役立つと考えられている。本研究では、金属とは異なり局在プラズモンの周波数を赤外光領域でチューニングできるとされている半導体ナノ粒子に着目した。硫化銅ナノ粒子の基礎光学特性を詳細に調べ、局在プラズモン共鳴の特徴を明らかにした。また、その共鳴周波数の制御法を開発した。
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