| 研究課題/領域番号 |
26400317
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
中 暢子 京都大学, 理学研究科, 准教授 (10292830)
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| 研究分担者 |
秋元 郁子 和歌山大学, システム工学部, 准教授 (00314055)
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| 研究協力者 |
STOLZ Heinrich ロストク大学, 物理学科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 光キャリア / 間接遷移型半導体 / スピン緩和 |
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| 研究成果の概要 |
近年、シリコンに代表される間接遷移型IV族半導体に対して太陽電池やスピンデバイスとしての期待が急速に高まっている。しかし、長いスピンコヒーレンス時間が予想されるダイヤモンドにおいて、スピン輸送の担い手となりうる非局在キャリアのスピン緩和時間の測定例はなかった。そこで、本研究では、偏光レーザー照射によるスピン偏極キャリアの注入を試み、運動量緩和時間や輸送特性を明らかにした。本研究の成果は、次世代デバイスにおける非局在スピンの有効活用につながるものと期待される。
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