| 研究課題/領域番号 |
26400357
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
草部 浩一 大阪大学, 基礎工学研究科, 准教授 (10262164)
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| 研究分担者 |
丸山 勲 福岡工業大学, 情報工学部, 准教授 (20422339)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 強相関電子系 / 強相関エレクトロニクス / 計算物理 / 超伝導材料・素子 / 磁性 |
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| 研究成果の概要 |
量子相転移に付随する超過程の決定計算技術を開発し、幾つかの量子相転移・量子多体効果を見出した。多配置参照密度汎関数法による超過程の理論により、計算有限性をもつ収束電子状態計算理論を与えた。磁気的相互作用評価プログラムを開発し、アルゴリズム特許の取得と普及を進めた。
高温超伝導体の物質依存性評価を進め、フェルミ面形状効果、バッファ層制御による転移温度上昇機構を発見した。多層系銅酸化物高温超伝導体の正孔分布を強相関効果として明らかにした。磁気的超過程計算と近藤効果の評価を行って、ナノグラフェンにおける擬ギャップ近藤効果を見出した。ナノグラフェンの対称性からくる強相関一重項の保護機構を明らかにした。
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