| 研究課題/領域番号 |
26400372
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
河野 昌仙 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主幹研究員 (40370308)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2014年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 高温超伝導体 / モット転移 / t-Jモデル / クラスター摂動理論 / 擬ギャップ / ドーピング誘起状態 / 動的密度行列繰り込み群法 / スピンと電荷の分離 / 電子状態 / 高温超伝導 / 数値計算 / 磁気励起 |
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| 研究成果の概要 |
銅酸化物高温超伝導体の性質を微視的なレベルから統一的に理解するために、銅酸化物高温超伝導体の原子軌道から導かれるモデルである2次元t-Jモデルの電子状態を調べ、銅酸化物高温超伝導体で観測されている様々な異常な特徴をモット転移近傍の性質として統一的に説明した。また、モット転移の顕著な特徴であるドーピングによってギャップ内に誘起される状態についてt-Jモデルを用いて調べ、ドーピング誘起状態の形成には二重占有は本質的ではなく、モット絶縁体のスピンと電荷の分離を反映し、モット絶縁体の低エネルギーのスピン励起状態がドーピングによってフェルミ波数だけずれて電子励起に現れたものと解釈できることを示した。
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