| 研究課題/領域番号 |
26410091
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
機能物性化学
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| 研究機関 | 京都工芸繊維大学 |
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研究代表者 |
今野 勉 京都工芸繊維大学, 分子化学系, 教授 (70303930)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2016年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | テトラフルオロエチレン / 負の誘電率異方性 / ネガ型液晶分子 / 高位置選択的ヒドロシリル化 / テトラフルオロシクロヘキサン / テトラフルオロシクロヘキセン / 還元的脱フッ素化反応 / ジフルオロシクロヘキセン / ヒドロシリル化反応 / vic-ジフルオロシクロヘキサン / Diels-Alder反応 / フッ素化反応 / 2,3-ジフルオロ-2-シクロヘキセノール / 脱フッ素化反応 / 玉尾酸化 |
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| 研究成果の概要 |
コバルト触媒を用いた、テトラフルオロシクロヘキサジエンの高位置選択的ヒドロシリル化反応によって、アルコキシ基含有テトラフルオロシクロヘキサンあるいはシクロヘキセン骨格を有する高性能ネガ型液晶分子の効率的合成に成功した。特に高性能なテトラフルオロシクロヘキセン含有液晶分子に関し、理論計算を行うことで、その高性能の要因がビニルエーテル部位の平面性とフッ素原子のかさ高さに起因するアルコキシ基回転障壁の上昇に由来することを証明した。
一方、還元的脱フッ素化反応を鍵反応として、テトラフルオロシクロヘキサノン誘導体から、新規液晶分子であるジフルオロシクロヘキセノール誘導体の合成も達成できた。
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