| 研究課題/領域番号 |
26410252
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
デバイス関連化学
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
小林 健吉郎 静岡大学, 工学部, 教授 (20153603)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2016年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | ZnOS / 量子ドット / p型化 / 発光 / p型 / 過剰硫黄 / Ag添加 / ｐ型 / 硫黄処理 / LED |
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| 研究成果の概要 |
本研究はZnO1-xSx（ZnOS)薄膜の電気的ならびに光学的な性質を明らかにした。硫黄を同時蒸着したパルスレーザ堆積法では、硫黄濃度が30% まで増加し、同時にp型ZnOS薄膜が得られた。2モル％Naを添加して低抵抗のｐ型ZnOS薄膜を得た。化学気相堆積法により、量子ドットZnOS薄膜を作製した。ZnOS薄膜の透過スペクトルには、基板温度の低下とともに吸収端が短波長側にシフトした。基板温度125℃の低温で作製された量子ドットZnOS薄膜は500nmに欠陥による蛍光を示した。これに対して、ZnO/ZnS界面で生成した秩序性のZnOS薄膜はハンド間発光を示した。
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