| 研究課題/領域番号 |
26420016
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
機械材料・材料力学
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
加藤 昌彦 広島大学, 工学研究院, 准教授 (70274115)
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| 研究分担者 |
菅田 淳 広島大学, 工学研究院, 教授 (60162913)
曙 紘之 広島大学, 工学研究院, 助教 (50447215)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | プラズマ放電 / はく離強度 / ナノワイヤ / SiC薄膜 / 薄膜 / プラズマプロセス / はく離 |
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| 研究成果の概要 |
薄膜のはく離強度を簡便かつ定量的に評価することは重要である．そこで，サブミクロン薄膜はく離強度評価システムを新たに構築した．構築したシステムにより試験した結果，信頼できる値が得られ，はく離強度評価可能であることがわかった．
薄膜のはく離強度を向上させるため，基材表面にナノワイヤを形成したのち，製膜した．マイクロ円環圧縮試験法によりはく離強度を評価した結果，向上していることがわかり，ナノワイヤの効果が明らかとなった．
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