| 研究課題/領域番号 |
26420033
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
機械材料・材料力学
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| 研究機関 | 茨城工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
金成 守康 茨城工業高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授 (70331981)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2014年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 有機半導体 / 空孔 / 等方加圧 / 密度 / 弾性率 / 硬さ / 曲げ強度 / 高分子材料 / ペンタセン |
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| 研究成果の概要 |
本研究の目的は、低分子・高分子有機半導体薄膜の等方加圧(IP)処理において、膜作製や加圧の条件を最適化して処理技術を確立することにある。すべての低分子膜は、IP処理によって高密度化、高強度化した。高密度率は、メタルフリーフタロシアニン膜の40%からペンタセン膜の8.4%の範囲で種類によって異なり、結晶粒形状と凝集状態から算出される空孔率とよく一致した。2つの高分子薄膜は、IP処理によって15%以上高密度化した。PMMA膜は、アズコートの押込み硬さ0.26 GPaがIP処理によって40%高くなった。PEDOT/PSS薄膜は、有機溶媒の添加によって高密度化した。
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