研究課題/領域番号 |
26420071
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
生産工学・加工学
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研究機関 | 一般財団法人ファインセラミックスセンター |
研究代表者 |
石川 由加里 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主席研究員 (60416196)
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研究分担者 |
菅原 義弘 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (70466291)
姚 永昭 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (80523935)
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研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2014年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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キーワード | 材料工学 / 単結晶 / 加工 / 潜傷 / 転位 / 積層欠陥 / SiC / 欠陥 / EBSD / SiC / ダイヤ |
研究成果の概要 |
砥粒の動きを制御したモデル加工を4H-SiC結晶に施し、結晶に導入された欠陥の構造と加工条件の対応を調べた。砥粒の平行移動のみの固定砥粒ワイヤーソー切断では、欠陥は均一に分布し、高密度欠陥層、転位ハーフループ、積層欠陥が形成されるが、砥粒の転動運動を含む遊離砥粒ワイヤーソー切断では欠陥は不均一に分布し、積層欠陥に加え、逆三角形のダメージ領域とその下に伸びる転位ハーフループ束が観察された。
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