研究課題/領域番号 |
26420275
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 鹿児島大学 |
研究代表者 |
寺田 教男 鹿児島大学, 理工学域工学系, 教授 (20322323)
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研究分担者 |
小原 幸三 鹿児島大学, 理工学域工学系, 教授 (10094129)
奥田 哲治 鹿児島大学, 理工学域工学系, 准教授 (20347082)
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研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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キーワード | 超伝導材料 / 表面・界面物性 / 薄膜 / レアアース・レス / 超伝導材料・素子 |
研究成果の概要 |
低成長温度・レアアースレス等の工学的特徴を有するが、当初、機能発現部位が局限されていた高温超伝導(Cu, C)-1201相を基幹とする積層構造において,超平坦バッファの作成条件の確立とその導入により当該構造の超伝導発現の起源である界面歪み効果を広域で発現させることで超伝導発現部位を積層構造の上部領域への拡張を達成するとともに、併せて、超伝導臨界温度の飛躍的上昇に成功した。また、単一ターゲットからの形成された薄膜においても超伝導性の発現に成功し、当該構造の幅当たりの臨界電流向上、レアアース・レス超伝導薄膜の実用的作成法開発のための基盤的手法の開発を達成した。
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