| 研究課題/領域番号 |
26420279
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 上智大学 |
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研究代表者 |
野村 一郎 上智大学, 理工学部, 教授 (00266074)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | InP基板 / Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体 / タイプⅡヘテロ材料 / 分子線エピタキシー / 伝導帯バンド不連続 / 光デバイス / 共鳴トンネルダイオード / 負性抵抗 / 負性微分抵抗 / クラッド層 / ショットキー / 分子線エピタキシー法 / タイプⅡ超格子 / 光吸収スペクトル / 光起電力 / バンド不連続 / レーザ / キャリア注入 / ヘテロ界面 / ダイオード / サブバンド間遷移 / フォトルミネッセンス / ドーピング制御 |
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| 研究成果の概要 |
InP基板上Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体タイプⅡヘテロ材料の特性評価及びデバイス応用を行った。ZnCdSe/BeZnTeヘテロ接合における伝導帯バンド不連続をn-i-nダイオード用いて評価する手法を提案した。ZnCdSe/BeZnTeタイプⅡ超格子の光吸収特性を光起電力スペクトルの測定により評価し、フォトルミネッセンス特性と比較検討した。レーザにおけるキャリア注入特性を理論解析により検討し、構造の最適化を進め、実験により検証した。MgSe/ZnCdSe共鳴トンネルダイオードを作製し、室温での電圧電流特性において明確な負性抵抗を確認した。
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