| 研究課題/領域番号 |
26420280
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東海大学 |
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研究代表者 |
小林 清輝 東海大学, 工学部, 教授 (90408005)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2016年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | 不揮発性メモリ / シリコン炭窒化膜 / 電荷トラップ / フラッシュメモリ / 不揮発性半導体メモリ / シリコン窒化膜 |
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| 研究成果の概要 |
シリコン炭窒化膜（SiCN膜）を電荷捕獲膜とする不揮発性メモリ素子を試作し、メモリ特性及び、キャリヤの注入・捕獲過程について調べた。シリコン窒化膜を用いた従来型の素子に比べてSiCN素子では約１桁速い消去速度が得られ、この特性がSiCN膜の正孔注入に対するエネルギー障壁が低いことに起因することを示した。また、SiCN膜に捕獲された電子のエネルギー深さがシリコン窒化膜と同程度であること及び、SiCN-SiO2界面の伝導帯のバンドオフセットがシリコン窒化膜-SiO2界面に比べて大きいことを明らかにした。この様なSiCN素子のバンド構造が低温でのSiCN素子の優れた電子保持特性の一因と考えられる。
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