| 研究課題/領域番号 |
26420281
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 諏訪東京理科大学 |
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研究代表者 |
福田 幸夫 諏訪東京理科大学, 工学部, 教授 (50367546)
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| 研究分担者 |
岡本 浩 弘前大学, 理工学研究科, 教授 (00513342)
王谷 洋平 諏訪東京理科大学, 工学部, 准教授 (40434485)
佐藤 哲也 山梨大学, 総合研究部, 准教授 (60252011)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 誘電体薄膜 / 表面・界面物性 / 超薄膜 / MOS構造 / プラズマ酸化 / 原子層堆積法 / 金属ジャーマネイト / ゲルマニウム / 誘電体物性 / ラジカル酸化 / MIS構造 / ＭＩＳ構造 |
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| 研究成果の概要 |
本研究課題では、マイクロ波リモートプラズマにより生成した原子状酸素を酸化剤として用いた原子層堆積(REALD)法によるゲルマニウム基板上への高誘電率金属ジャーマネイトの低温直接形成法とゲルマニウムMOSFETのゲート絶縁膜形成への応用について研究を行った。その結果、REALD法による金属ジャーマネイトの形成機構を解明するとともにSiO2換算膜厚1ナノメータのGe-MOSキャパシターを得ることができた。
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