有機半導体／無機半導体へテロ接合及び有機半導体ヘテロ接合の研究

研究課題

研究課題/領域番号	26420283
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	大阪電気通信大学
研究代表者	松浦秀治大阪電気通信大学, 工学部, 教授 (60278588)
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2017-03-31
研究課題ステータス	完了 (2016年度)
配分額 *注記	5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円) 2016年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円) 2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円) 2014年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
キーワード	有機薄膜太陽電池 / 有機／無機半導体ヘテロ接合 / バルクへテロ接合 / 接合特性 / 有機半導体 / 有機半導体／無機半導体ヘテロ接合 / 有機半導体／有機半導体ヘテロ接合 / 薄膜 / 有機半導体／無機半導体へテロ接合 / 欠陥評価 / 有機半導体／有機半導体へテロ接合
研究成果の概要	逆型バルクヘテロ有機薄膜太陽電池の接合特性と太陽電池特性との関係を調べた。できるだけバルクヘテロ接合以外は同じにするため、ソーラーシミュレータの照射によるバルクヘテロ接合の変化を調べた。太陽電池の開放電圧とバルクヘテロ接合のビルトイン電圧の照射時間依存性を調べた。その結果、ビルトイン電圧が高くなるに従って、開放電圧が上昇することが分かった。簡易型高性能太陽電池の検討と有機半導体と無機半導体との接合の研究のため、有機半導体(P3HT)／無機半導体(n c-Si)ヘテロ接合を作製し、電気特性を調べた。異なる抵抗率のn c-Si基板とP3HT薄膜とのヘテロ接合の高周波での容量－電圧特性を調べた。