| 研究課題/領域番号 |
26420286
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
色川 芳宏 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点 電気・電子機能分野 ワイドバンドギャップ材料グループ, 主任研究員 (90394832)
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| 連携研究者 |
中野 由崇 中部大学, 工学部電子情報工学科, 教授 (60394722)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2016年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2015年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | 水素 / 窒化物半導体 / 界面 / センサ / 半導体デバイス / 絶縁膜 |
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| 研究成果の概要 |
近年、再生可能エネルギーからのエネルギーキャリアとして水素が注目されているが、水素は無色・無臭の上、大気中で燃焼・爆発しやすい性質を持つために取り扱いには注意を要する。そのため、安全性の観点から、水素を計測する技術は今後の水素社会において重要な位置を占め、多様な仕様の水素センサが要求されている。その中で、半導体デバイスを用いる方式に関して、従来提案されている界面ダイポールモデルに代わり、水素による絶縁膜の物性変化が本質的であることを、実験。理論の両面から示した。
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