| 研究課題/領域番号 |
26420288
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
川津 琢也 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料拠点, 主任研究員 (00444076)
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| 連携研究者 |
大森 雅人 名古屋大学, 産学協同研究部門, 特任講師 (70454444)
秋山 芳広 豊田工業大学, 工学研究科, 研究員 (60469773)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 電子デバイス / 量子構造 / 赤外材料・素子 / 電界効果トランジスタ / n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合 / ショットキバリア光検出器 / 2次元電子 / 量子ドット / ガリウムアンチモン / アルミニウムアンチモン / 高指数面基板 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、①ゲート局所照射と②異方的な量子ドットの埋込みの２つの手法を用いて、面内光電流を高電子移動度トランジスタに発生させることを試みた。
トランジスタのゲートの非対称な位置にレーザー光を照射すると、電流の循環が生じ、面内光電流が発生することを示した。特に、ゲート端を照射した時、電流は最大となり、その値は9μA/mWに達した。また、異方的な量子ドットを埋め込んだトランジスタを作製し光電流を調べた。その結果、端面照射により75nA/mWの面内光電流が発生することを示した。
本研究では、量子構造の作製評価も目的の１つであり、InGaAs量子細線やGaSb量子ドットの光学特性を明らかにした。
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