研究課題/領域番号 |
26420290
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工 |
研究代表者 |
森武 洋 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工, 電気情報学群, 教授 (90531799)
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研究協力者 |
ドン クォック・トアン 防衛大学校, 理工学研究科, 学生
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研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2016年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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キーワード | ネマティック液晶 / ナノファイバー / エレクトロスピニング / 複合体 / テラヘルツ波移相器 / テラヘルツ波制御素子 / 配向ナノファイバー / 電圧応答特性 / 液晶 |
研究成果の概要 |
ネマティック液晶とエレクトロスピニング法で作製した配向ナノファイバー複合素体を構築し、閾値電圧や電圧を除去したときの応答時間はナノファイバーの種類・直径及び密度に依存することを明らかにした。また、液晶分子とファイバーの平均距離と立ち下がり時間やナノファイバー密度と閾値電圧の関係がファイバーの種類と直径により決まることを明らかにした。 また、この複合体を用いて周波数が260~400 GHzのテラヘルツ波における透過型の移相器を提案し、位相変化量は液晶単体と比べ約半分に減少するものの、立ち下がり時間を約600分の1に減少できることを明らかにし、複合体のテラヘルツ波素子への応用の可能性を示した。
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