研究課題/領域番号 |
26420291
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工 |
研究代表者 |
立木 隆 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工, 電気情報学群, 准教授 (60531796)
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研究分担者 |
内田 貴司 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工, 電気情報学群, 教授 (50531802)
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研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2014年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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キーワード | 銅酸化物超伝導体 / テラヘルツ波 / 発振素子 / 銅酸化物高温超伝導体 / サイン・ゴードン方程式 |
研究成果の概要 |
銅酸化物超伝導体に内在する固有ジョセフソン接合に対するバイアス安定化により、高出力なテラヘルツ波発振素子を実現することを目指し、以下の結果を得た。エネルギー保存則を考慮して計算された放射電力のバイアス依存性と時間依存性により、発振と非発振のバイアス境界を見出す際、素子近傍の見かけの放射電力が重要な役割を果たしていることを示唆した。また、素子のバイアス法を従来の単方向スイープから双方向スイープに変更することにより、放射電力が2倍に向上することを実験とシミュレーションにより示した。これらの結果は同素子のバイアス安定化とそれによる高出力化に有用である。
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