| 研究課題/領域番号 |
26420295
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 山形大学 |
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研究代表者 |
高橋 豊 山形大学, 大学院理工学研究科, 准教授 (00260456)
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| 連携研究者 |
稲葉 信幸 山形大学, 理工学研究科, 教授 (50396587)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | スピントロニクス / 磁気記録 / 強磁性共鳴 / 磁気緩和係数 / 3d強磁性遷移金属 |
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| 研究成果の概要 |
スピン制御磁気デバイスの低消費電力化のために電圧制御の可能性が検討されている。このためにはデバイスの動作に重要なパラメータである磁気緩和係数と磁気異方性係数の物理的起源を明らかにする必要がある。GaAs基板上Co添加Fe単結晶薄膜を試料とし、アニール処理の有無および温度を変化させることにより電子散乱率を変化させ、磁気特性特に緩和係数との関係を検討した。電子散乱率が増加すると、低温(77K)では磁気緩和係数は減少するのに対して、室温では緩和係数は逆に増加するという結果が得られた。これは理論の予測とも合致しており、伝導電子の散乱は磁気緩和の大きさを決める重要な要素の一つであることが示された。
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