| 研究課題/領域番号 |
26420299
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 沖縄工業高等専門学校 (2015-2016)
千葉大学 (2014) |
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研究代表者 |
藤井 知 沖縄工業高等専門学校, 情報通信システム工学科, 教授 (30598933)
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| 連携研究者 |
橋本 研也 千葉大学, 工学研究科, 教授 (90134353)
大森 達也 千葉大学, 工学研究科, 助教 (60302527)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2014年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 弾性表面波 / 圧電薄膜 / ダイヤモンド / マイクロ波工学 / ScAlN薄膜 / RFマグネトロンスパッタ / SAW / 電気機械結合係数 / マグネトロン / 位相ノイズ / ScAlN / RFスパッタリング / ラマン分光 / SAWフィルタ / スパッタリング |
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| 研究成果の概要 |
RFマグネトロンスパッタリング装置を用い、Sc0.32at%Al68at%合金とSc0.43at%Al57at%合金のターゲットを用い、シリコン上に六方晶C軸配向性を持ったScAlN薄膜の形成に成功した。特に、Sc0.43at%Al57at%合金では、ターゲット中のSc濃度が高くなるに従い、C軸配向性が失われやすい。TEMで詳細に観察したところ、結晶成長初期にはSc濃度が高くなり、アモルファス層が形成されやすいことが分かった。また、シリコンウエハ上にSAW共振子を試作したところ、2GHzにて2.7％のK2を持つことが示され、この値はAlN薄膜に比べ、6倍も大きいものである。
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