| 研究課題/領域番号 |
26420300
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 京都大学 (2015-2016)
東京大学 (2014) |
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研究代表者 |
田辺 克明 京都大学, 工学研究科, 准教授 (60548650)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2015年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| キーワード | 光集積回路 / 光通信 / 半導体レーザ / シリコン / ウェハ貼り合わせ / 量子ドット / 光電子集積回路 / シリコンフォトニクス |
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| 研究成果の概要 |
半導体量子ドットを光源とする導波路エバネッセント結合型ハイブリッドシリコンレーザを実現した。本デバイスは、InAs半導体量子ドットを光ゲイン媒体とし、シリコン光導波路にレーザ光が直接的に入射されているものであり、ウェハ接合および薄膜転写技術により作製した。既存のハイブリッドシリコンレーザはいずれも量子井戸をゲイン媒体としており、今回高性能な量子ドットを採用することによって、世界最高温度動作を達成した。この成果は、特に高い温度特性が要求される高密度光集積回路の開発における重要な布石であり、次世代の高速・大容量・低消費電力演算・通信の実現に繋がるものである。
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