| 研究課題/領域番号 |
26420309
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
池田 晃裕 九州大学, システム情報科学研究院, 助教 (60315124)
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| 連携研究者 |
浅野 種正 九州大学, システム情報科学研究院, 教授 (50126306)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | SiC / レーザドーピング / 発光スペクトル / 4H-SiC |
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| 研究成果の概要 |
4H-SiCへのウエットケミカルレーザドーピングの機構解明を目指し，ドーピング時の発光測定を行った．塩化アルミ水溶液，燐酸水溶液をドーピング源とした場合，励起状態のAl原子，P原子からの発光スペクトルは検出できなかった．周囲の水溶液により，SiC表面に発生したプラズマが短時間で消滅する為であると推測している．
一方，大気中レーザ照射によって生成したSiC上の超高温溶融Alをドーピング源として用いた場合，Al原子，Alイオンからの発光ピークが観測された．Al原子の発光ピーク値の解析から，このAlプラズマの電子温度は2.1 eV, 電子密度は8.7x10＾15 ／cm＾3 以上と判った．
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