研究課題/領域番号 |
26420319
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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研究機関 | 芝浦工業大学 |
研究代表者 |
上野 和良 芝浦工業大学, 工学部, 教授 (10433765)
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研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2018-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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配分額 *注記 |
3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2016年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
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キーワード | グラフェン配線 / 化学的気相成長 / 固相析出 / 電流印加 / エレクトロマイグレーション / 低温プロセス / 結晶性 / 集積回路 / グラフェン形成 / 低温化 / 電流印加アニール / 結晶性改善 / 電流密度 / 直接堆積 / 配線 / 均一性改善 / グラフェン / アニール / 電流ストレス / 膜質向上 |
研究成果の概要 |
多層グラフェン(MLG)は、ナノサイズの微細配線材料として期待されているが、低温で結晶性の良い膜を成膜する方法の確立が、MLG配線実現のための最大の課題である。本研究では、加熱(温度)以外に電流の作用を用いて、MLG膜形成の低温化と膜質向上を実現し、その作用メカニズムを明らかにした。本研究によって、電流印加という新たな手段で膜質の良いMLG膜を低温で形成でき、ナノサイズ配線の低抵抗化につながることが期待できる。
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