研究課題/領域番号 |
26420324
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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研究機関 | 静岡理工科大学 |
研究代表者 |
波多野 裕 静岡理工科大学, 理工学部, 教授 (80238013)
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研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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研究課題ステータス |
中途終了 (2016年度)
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配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2017年度: 260千円 (直接経費: 200千円、間接経費: 60千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2014年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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キーワード | 電子デバイス・機器 / 回路設計 / 放射線、粒子線 / 宇宙線 / シミュレーション / CVSL / 変換アルゴリズム / SETシミュレーション / CMOS / トランジスタ寸法最適化 |
研究実績の概要 |
宇宙用耐放射線システムLSIの実現を目指して、チップ試作により動作確認に成功したスタティック形カスケード電圧スイッチ論理(CVSL)回路と研究代表者が新規に提案したクロック形CVSL(C2VSL)回路に対してSETシミュレーションを行った。電源電圧1.8Vの0.18μm 技術において、スタティック型CVSL回路は宇宙応用に対して十分な耐性があることが判明した。 次に、1ビットCMOSコンパレータ、2ビットCMOSコンパレータ、4レベルCMOSプライオリティ・エンコーダ回路、CMOSマスター・スレーブ型JKフリップフロップ、ポジティブ・エッジトリガ型JKフリップフロップ、ポジティブ・エッジトリガ型Dフリップフロップに関して、SET耐性強化の観点から、トランジスタ・パラメータの設計最適化を検討した。ゲート幅Wの拡大により、CMOS回路にも宇宙応用に対して解があることが判明した。 更に、ニューロンMOS回路に対する宇宙空間における荷電粒子の影響は通常のCMOS回路と同程度であると考えられるということが判明した。 以上、CVSL回路、CMOS回路およびニューロンMOS回路を用いたSET耐性強化宇宙用LSIに関する総まとめを行った。0.18μm CMOS技術を対象に、回路試作、SETシミュレーションなどにより検討を行ってきた内容をまとめたが、更に当該研究を発展させるためには、0.1μm以下の微細回路に関する研究が期待される。また、SET耐性の検討のためには、荷電粒子照射実験による実証や実際の宇宙空間における実験が有効であると考えられる。
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