| 研究課題/領域番号 |
26420330
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
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研究代表者 |
鵜澤 佳徳 国立研究開発法人情報通信研究機構, ソーシャルイノベーションユニットテラヘルツ研究センターテラヘルツ連携研究室, 室長 (00359093)
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| 研究分担者 |
小嶋 崇文 国立天文台, 先端技術センター, 助教 (00617417)
牧瀬 圭正 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所フロンティア創造総合研究室, 主任研究技術員 (60363321)
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| 連携研究者 |
牧瀬 圭正 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所フロンティア創造総合研究室, 主任研究技術員 (60363321)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2016年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2015年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | テラヘルツ / 超伝導 / 窒化ニオブチタン |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、テラヘルツ帯でこれまで世界最高性能を示したSISミキサを改良することで、さらなる性能向上を目指した開発を実施した。従来同調回路部に用いていた高周波損失のあるAlを置き換えるためのNbTiNが、テラヘルツ帯で低損失であることを実験的に明らかにした。NbTiN配線とNb接合を接続した際のエネルギーギャップ差により生じる接合の電流-電圧特性の劣化をNb電極の厚さを増大することで低減することに成功した。新たに設計・試作したSISミキサは若干のギャップ電圧の低下を示したが、これは現時点での作製プロセスの制約から上下部のNb電極の厚さが不十分であることが原因であり、今後の有益な開発指針を得た。
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