| 研究課題/領域番号 |
26420332
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
永瀬 成範 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 (80399500)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / 共鳴トンネルダイオード / テラヘルツ波 / 双安定性 / 窒化ガリウム / サブバンド間遷移 / 双安定性メカニズム / 集積型アンテナ |
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| 研究成果の概要 |
ワイドバンドギャップ半導体を用いた高性能なテラヘルツ波発振器の実現に向けて、窒化ガリウム系共鳴トンネルダイオード（GaN系RTD）の作製技術を確立した。GaN系RTDの高品質化、及び、数値シミュレーションの高精度化により、長年未解明であったGaN系RTDで生じる双安定性（電流電圧特性のヒステリシス現象）のメカニズムを明らかにした。また、解明したメカニズムをもとに、テラヘルツ波発振に障害となる双安定性を抑制することに成功し、GaN系RTDを用いたテラヘルツ波発振器の実現の可能性を示した。
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