| 研究課題/領域番号 |
26420334
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
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研究代表者 |
牧瀬 圭正 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所フロンティア創造総合研究室, 主任研究技術員 (60363321)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 超伝導ー絶縁体転移 / トンネル接合 / 酸化物薄膜 / 窒化物薄膜 / 超伝導薄膜 / 弱局在 / 超伝導デバイス |
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| 研究成果の概要 |
半導体及び金属薄膜では金属―絶縁体転移がキャリア数によって発現することがしられている。そこでキャリア数の変調すなわちFET構造で膜の物性を変化させることで、多機能なタンデム型素子の実現を目指している。そこで酸化インジ ウム亜鉛（ＩＺＯ）膜を成膜時の酸素濃度を変えて成膜し、金属―絶縁体転移の詳細を 調べた。次に超伝導-ＩＺＯ-超伝導で構成させるトンネル接合を作製し、輸送特性を評価した。結果、電流―電圧特性の非線形性と非対称性を確認することができた。この非対称性は、超伝導電極の界面との近接効果が上部電極と下部電極で異なる、ＩＺＯ 膜で膜中の酸素移動が極低温で起きていること等が原因として考えられる。
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