| 研究課題/領域番号 |
26420671
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属物性・材料
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| 研究機関 | 一般財団法人ファインセラミックスセンター |
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研究代表者 |
加藤 丈晴 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主任研究員 (90399600)
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| 研究分担者 |
横江 大作 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 技師 (20590079)
吉田 竜視 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 技師 (50595725)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2016年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 電位分布 / ショットキー障壁 / 金属／半導体 / 空乏層 / 電子線ホログラフィー / 金属/半導体界面 / FIB / 電位分布解析 / 界面構造解析 / 半導体的性質 |
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| 研究成果の概要 |
金属/半導体界面に電圧印加するため、アルミナとチタン薄膜を用いたTEM試料支持体を作製した。その支持体に、金属/半導体界面を有する部位を固定した。金属半導体界面を均一厚さで、損傷の無いTEM観察試料を仕上げる技術および、金属/半導体界面に電圧印加する配線技術を確立した。金属/半導体界面に、順バイアスおよび逆バイアスを印加し、電流－電圧測定を行った。さらに、電子線ホログラフィー観察による金属近傍の半導体内部における電位分布の変化から、印加電圧と空乏層厚さの関係を明らかにすることができた。
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