| 研究課題/領域番号 |
26420685
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 近畿大学 |
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研究代表者 |
松谷 貴臣 近畿大学, 理工学部, 准教授 (00411413)
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| 連携研究者 |
川﨑 忠寛 ファインセラミックスセンター, 主任研究員 (10372533)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2014年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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| キーワード | 環境セル / 隔膜 / 磁場 / パルスプラズマ / 化学気相成長法 / 窒化物薄膜 / アモルファス / 雰囲気内顕微鏡観察 / 電子顕微鏡 / 磁場援用 / 化学気相成長 / 金ナノ触媒 / 透過電子顕微鏡 / 触媒反応観察 / プラズマ / 透過型電子顕微鏡 |
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| 研究成果の概要 |
環境セル型透過電子顕微鏡に用いる高強度隔膜としてa-SiCN隔膜に着目し、その作製手法として磁場・パルスプラズマ援用化学気相成長法（MPECVD）を開発した。a-SiCN隔膜作製のための原料ガスとして、大気中で安定なヘキサメチルジシラザンと窒素およびアルゴンを用いて作製した。磁場を印加することにより、通常のプラズマCVDに比べて成膜速度の向上がみられた。様々な条件により隔膜はCuグリッドの穴を覆うように作製し、その評価を赤外分光法、光電子分光法および透過電子顕微鏡などで評価した。その結果、パルス電圧を上げ、窒素の流量を上げ、さらに反応容器内の圧力を下げることで高強度を示す隔膜の開発に成功した。
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