| 研究課題/領域番号 |
26420702
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
複合材料・表界面工学
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| 研究機関 | 日本大学 |
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研究代表者 |
前田 将克 日本大学, 生産工学部, 准教授 (00263327)
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| 研究分担者 |
高橋 康夫 大阪大学, 接合科学研究所, 特任教授 (80144434)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | 界面構造制御 / 反応制御 / 炭化ケイ素 / 窒化ガリウム / パワーエレクトロニクス / ショットキー障壁 / 電極材料 / 通電熱処理 / p型窒化ガリウム / コンタクト通電特性 / 有効正孔濃度 / 水素透過能 / パラジウム電極 / ニッケル電極 / n型炭化ケイ素 / 界面反応制御 / 脆弱層形成の抑制 / 過渡現象 / ｐ型窒化ガリウム |
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| 研究成果の概要 |
本研究は，次世代パワーエレクトロニクス材料として優れた特性を有する広禁制帯幅化合物半導体のコンタクト電極形成に関する諸問題の中からp型GaNとn型SiCの電極形成プロセスの制御に取り組んだ。p型GaNにおいては電極直下のGaN中の有効正孔濃度を増加させるため，アクセプター元素を不活性化させている原因である水素原子を除去することを目的に，熱処理中に電極間に電圧を印加した。その結果，電気伝導度の向上に効果があることを実証した。n型SiCではNiを成膜して熱処理した電極が電気伝導特性に優れるが脆弱である問題を，Ni上にTiを積層して熱処理することによって改善できることを実証した。
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