in-situ XAFS分析システムによるめっき皮膜／基板界面の化学状態解明

研究課題

研究課題/領域番号	26420741
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	材料加工・組織制御工学
研究機関	九州大学
研究代表者	杉山武晴九州大学, シンクロトロン光利用研究センター, 准教授 (80391994)
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2017-03-31
研究課題ステータス	完了 (2016年度)
配分額 *注記	5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円) 2016年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円) 2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円) 2014年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
キーワード	無電解めっき / UV処理 / in-situ XAFS / 放射光 / 硬X線 / 皮膜／基板界面
研究成果の概要	絶縁性基板上でUV照射による基板表面改質法を組み合わせて成膜された無電解（電解）めっき皮膜についてXAFS測定を行った。AgのL3吸収端（3.35 keV）のスペクトルでは、試料条件による顕著な変化は確認されなかったものの、試料の最表面には酸化層の存在が示唆された。また、試料の加熱処理が可能なin-situ XAFS分析システムを開発した。He置換下において4 keV以下のX線を利用する転換電子収量法および部分蛍光収量法でのXAFS測定が可能である。

報告書

(4件)