研究課題
基盤研究(C)
絶縁性基板上でUV照射による基板表面改質法を組み合わせて成膜された無電解(電解)めっき皮膜についてXAFS測定を行った。AgのL3吸収端(3.35 keV)のスペクトルでは、試料条件による顕著な変化は確認されなかったものの、試料の最表面には酸化層の存在が示唆された。また、試料の加熱処理が可能なin-situ XAFS分析システムを開発した。He置換下において4 keV以下のX線を利用する転換電子収量法および部分蛍光収量法でのXAFS測定が可能である。
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