| 研究課題/領域番号 |
26420744
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
材料加工・組織制御工学
|
|---|
| 研究機関 | 工学院大学 |
|---|
研究代表者 |
阿相 英孝 工学院大学, 先進工学部, 准教授 (80338277)
|
|---|
| 連携研究者 |
小野 幸子 工学院大学, 工学部, 教授 (90052886)
|
|---|
| 研究協力者 |
今井 涼太
山田 航平
伊藤 大喜
鈴木 裕太
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
|
| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
|
|---|
| キーワード | ナノ材料 / 材料加工・処理 / 自己組織化 / 半導体 |
|---|
| 研究成果の概要 |
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体はSiに代わる次世代材料として注目を集めている。本研究では，結晶の異方性を利用したアノードエッチングを用いて，自己配列したGaAsナノワイヤを作製し，電子エミッタとして動作することを実証した。また，外部電圧を印加しない微細加工法として，金を触媒とした化学エッチングを用いて周期100 nmのGaAsナノピラーアレイを作製した。併せて，エッチング液の組成やエッチング時間が，エッチング形態に及ぼす影響に関しても系統的に調査した。自発的に形成されるパターンを利用したナチュラルリソグラフィー技術は，広範囲で規則的な表面を形成する手法として新たな道筋を提示するものと期待できる。
|
