| 研究課題/領域番号 |
26420772
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
化工物性・移動操作・単位操作
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| 研究機関 | 一般財団法人ファインセラミックスセンター |
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研究代表者 |
永野 孝幸 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主任研究員 (70450848)
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| 研究分担者 |
佐藤 功二 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 技師 (20552590)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2016年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | シリカ / 水素 / 窒素 / 圧力 / CVD / アルミナ / ゾルゲル / 多孔質 / アモルファス |
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| 研究成果の概要 |
ガスを分子サイズで篩分けするためにはサブナノオーダーの細孔径分布制御技術が必要となる。アモルファスシリカ系ガス分離膜は多孔質支持基材、メソポーラス中間層、サブナノオーダー分離活性層で構成され、膜全体をトータルで最適化しなければ、透過率及び選択透過性を同時に両立することは困難である。著者らは高い水素選択透過性が期待できる対向拡散CVD法を用いて、水素透過率、水素選択透過性を同時に向上させるための成膜手法について検討した。水素ガス選択性を向上させるためには原料ガスがメソポーラス中間層に確実に供給され、且つ反応ガスが中間層内で衝突し、細孔内に成膜されるように合成条件を最適化することが重要であった。
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