| 研究課題/領域番号 |
26420888
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
エネルギー学
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| 研究機関 | 和歌山工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
山口 利幸 和歌山工業高等専門学校, 電気情報工学科, 教授 (60191235)
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| 研究協力者 |
中嶋 崇喜 和歌山工業高等専門学校, 技術支援室, 技術専門職員
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 薄膜太陽電池 / 化合物薄膜 / 連続成膜法 |
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| 研究成果の概要 |
資源豊富な元素（銅、亜鉛、錫、硫黄、セレン）で構成される次世代のCZTSSe薄膜太陽電池を作製するために、化合物からの連続成膜法を用いて作製条件を検討した。2段目の硫黄蒸着量を変化させることで、CZTSSe薄膜中の硫黄含有量を制御できた。CZTSSe及びCZTSe薄膜太陽電池を作製した結果、それぞれの変換効率1.55%と3.93%が得られ、研究開始時のデータを更新した。また、連続成膜後に熱処理を追加することで、開放電圧が向上した。
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