研究課題
基盤研究(C)
金属から電子を受容するZ型配位子が、金属錯体或いはその触媒反応へもたらす影響については、ほとんど報告例がなく知られていない。そこで、新規Z型配位子含有金錯体の合成および触媒反応への応用を試みた。その結果、3種の錯体の合成に成功し、錯体がカチオン性の状態では、金とZ型配位子間の相互作用が減弱すること、Z型配位子側に電子求引性基を導入するとη2型のZ-ligand effectが得られることを見出した。また触媒反応では、通常合成が艱難な7員環構築を含む2種の反応が進行することも明らかにした。
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