研究成果の概要 |
無機化合物層上に方位制御した有機半導体層形成技術を確立するために、C, A, R-単結晶酸化アルミニウム基板、(001)および(111)方位の単結晶酸化マグネシウム(MgO)基板上に、C8-BTBTとPTCDI-C8層を真空蒸着装置により成膜し、その構造を評価した。C, A, R-単結晶酸化アルミニウムならびに(001)および(111)方位の単結晶酸化マグネシウム(MgO)基板上に、基板材料によらずOut-of-planeならびにin-plane方位の揃ったC8-BTBT ならびにPTCDI-C8薄膜薄膜が得られた。
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