| 研究課題/領域番号 |
26600049
|
|---|
| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
ナノ材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
|---|
研究代表者 |
深田 直樹 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, グループリーダー (90302207)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2014年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
|
|---|
| キーワード | 結晶成長 / シリコン / 多結晶 / 太陽電池 / 結晶工学 / 多結晶薄膜 / ナノワイヤ |
|---|
| 研究成果の概要 |
シリコン（Si）結晶をSiではない異種基板上、例えば安価なガラス基板上に形成することを目的として研究を行った。
具体的には、アルミニウム誘起層交換成長法を利用し、石英ガラス基板上へのSi結晶の形成実験を行った。結晶化の条件を透過電子顕微鏡（TEM）、電子後方散乱（EBSD）およびラマン分光により調べた。その結果、（111）方向に面内垂直配向した最大384μmのグレインを形成することができた。この値は、これまでにAIC関連で報告されている中で最大のグレインサイズである。こ更に、形成できたSi多結晶膜をテンプレートとした固相エピタキシャル成長およびSiナノワイヤの成長も実証できた。
|
