| 研究課題/領域番号 |
26600056
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノマイクロシステム
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
田中 秀治 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (00312611)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 高温センサ / 信号読出し / SiCダイオード / ブリッジ回路 / 高温実装技術 / MEMS / ダイオードブリッジ / 容量型センサ / 炭化ケイ素 / ダイオード / センサ読出回路 |
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| 研究成果の概要 |
数百℃の高温環境に設置する容量型MEMSセンサのための信号読取り技術を実証した。高温環境に耐熱性容量型センサ，SiCダイオードブリッジ，およびカップリングキャパシタを設置し，そこから配線を室温環境に伸ばし，Siの信号処理回路に接続する。
まず，pn接合SiCダイオードに白金電極を形成することで，400～600℃の高温でも動作することを確認し，各温度における特性を測定した。また，高温で利用できるダイボンディング，ワイヤーボンディングなどの実装技術を開発した。これらの要素技術を用いて，SiCダイオードブリッジ回路を構成し，高温で試験した。さらに，SiC微細加工技術を開発し，センサ基本構造を試作した。
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