| 研究課題/領域番号 |
26600062
|
|---|
| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
ナノマイクロシステム
|
|---|
| 研究機関 | 京都大学 |
|---|
研究代表者 |
土屋 智由 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (60378792)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
|
|---|
| キーワード | ナノギャップ / 熱膨張アクチュエータ / 静電櫛歯アクチュエータ / へき開破壊 / 単結晶シリコン / 熱電子放出 / MEMS / 熱アクチュエータ / 静電アクチュエータ / SOI |
|---|
| 研究成果の概要 |
数～10数nmの間隔，数μmの非常に狭い空隙すなわちナノギャップの熱伝導，電気伝導特性を測定するためのナノギャップ計測デバイスを提案，試作，評価した．デバイスは熱膨張アクチュエータを駆動して単結晶シリコンの構造にへき開破壊を引き起こし，対となるへき開面によりナノギャップを創製する．デバイスの駆動でナノギャップの創製に成功し，間隔120nmのギャップについて電圧－電流特性を測定した結果，電子放出を確認した．
|
