| 研究課題/領域番号 |
26600081
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
森 貴洋 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究員 (70443041)
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| 研究協力者 |
二之宮 成樹
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2015年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2014年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 二次元層状物質 / 発光素子 / トランジスタ / 絶縁膜界面 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 二硫化モリブデン / 電界効果トランジスタ / 励起子発光 / 固定電荷 |
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| 研究成果の概要 |
本研究課題は２次元層状薄膜を用いて発光強度の高いレーザの開発を目指した。層状薄膜と絶縁膜との界面に発生する固定電荷を利用し、それに対する励起子の局在化を利用して高強度発光の実現を試みた。２次元層状薄膜としては、遷移金属ダイカルコゲナイドの代表である二硫化モリブデン材料を用いた。局在化を図る界面状態の評価のためには、トランジスタを試作し電気的評価を行なった。発光実験においては高強度の発光が観測されたが、電気的評価からは固定電荷の存在を明らかにできなかった。これは材料中に存在する電荷と、界面電荷とが区別できないためである。本研究課題の目標を実現するためには、材料中に存在する電荷の削減が必要である。
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