| 研究課題/領域番号 |
26600088
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 早稲田大学 |
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研究代表者 |
牧本 俊樹 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (50374070)
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| 研究分担者 |
堀越 佳治 早稲田大学, 理工学術院, 名誉教授 (60287985)
藤田 実樹 一関工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 (60386729)
日比野 浩樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 部長 (60393740)
前田 文彦 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (70393741)
関根 佳明 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 研究主任 (70393783)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2015年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2014年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | グラフェン / 窒化物半導体 / AlN / BN / 窒素プラズマ / ラマン / ホール / ダメージ / MBE / RFプラズマ / B固体ソース / BGaN / BAlN / XPS |
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| 研究成果の概要 |
MBE法を用いてグラフェン上にAlNを成長した。そして、成長温度を低下させることにより、AlN表面の平坦性が向上し、グラフェン表面由来のステップを観測することができた。また、低温でAlNを成長させることによって、電子の移動度の低下とシート電子濃度の上昇をある程度抑制できた。
次に、800 ℃においてグラフェン表面に窒素プラズマを照射した。そして、高温で窒素プラズマをグラフェンに照射することによって、グラフェンがダメージを受け、グラフェンの構造が破壊されていることを明らかにした。
さらに、グラフェン上にBNを低温で成長した。そして、電子の移動度の低下とシート電子濃度の上昇をある程度抑制できた。
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